型号:SIZ300DT-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:* | 描述:MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 3X3 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 3X3 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | * |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | * |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 7.4nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 400pF @ 15V |
功率_最大 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
供应商设备封装 | * |
包装 | * |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生86-0755-82561519 |
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PowerPAK? 1212-8
MOSFET N-CH 30V 1212-8
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FFC,FPC(扁平软线)- 连接器 - 面板安装
FCI
CONN FPC/FFC 30POS 1MM R/A SMD
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板对板 - 阵列,边缘类型,包厢
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芯片电阻 - 表面安装
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1206(3216 公制)
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板对板 - 阵列,边缘类型,包厢
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FET - 单
Vishay Siliconix
PowerPAK? 1212-8
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
- RT1206CRD0762KL
芯片电阻 - 表面安装
Yageo
1206(3216 公制)
RES 62.0K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- SDR0703-2R7ML
固定式
Bourns Inc.
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芯片电阻 - 表面安装
Yageo
1206(3216 公制)
RES 64.9K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- SDR0703-330KL
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- SIZ300DT-T1-GE3
FET - 阵列
Vishay Siliconix
*
MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 3X3
- SEAF-50-05.0-S-10-2-A-K-TR
板对板 - 阵列,边缘类型,包厢
Samtec Inc
SOT-23-6
CONN SNGL-END ARRAY FMALE 500POS
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1206(3216 公制)
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*
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板对板 - 阵列,边缘类型,包厢
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Yageo
1206(3216 公制)
RES 887K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- SF2090C
SAW 滤波器
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SAW FILTER IF 357.5MHZ SM5050-8
- SLF7045T-102MR14-PF
固定式
TDK Corporation
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INDUCTOR SHIELD PWR 1000UH 7045